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　　MRDIMM 的诞生并非一蹴而就，它的起源可以追溯到 DDR4 世代的 LRDIMM（Load Reduced DIMM，减载双列直插内存模块）。LRDIMM 的设计初衷是为了减轻服务器内存总线的负载，同时提升内存的工作频率与容量。与传统的服务器内存模组 RDIMM 仅采用 RCD（Registered Clock Driver，寄存时钟器）不同，LRDIMM 创新性地加入了 DB（Data Buffer，数据缓冲器）功能。这一巧妙设计不仅降低了主板上的信号负载，还为使用更大容量的内存颗粒创造了条件，进而显著扩充了系统内存容量。

　　在DDR4 世代，JEDEC 对 LRDIMM 架构进行了多轮讨论，最终，中国澜起科技公司提出的 “1+9”（1 颗 RCD + 9 颗 DB）方案脱颖而出，成为 DDR4 LRDIMM 的国际标准。这一成就意义非凡，要知道，当时全球仅有 IDT（后被日本瑞萨电子收购）、Rambus 和澜起科技三家公司具备提供 RCD 及 DB 芯片套片的能力。或许正是基于以上契机和强大的研发实力，澜起科技在 2021 年成功入选 JEDEC 董事会，行业话语权得到进一步提升。

　　进入DDR5 世代，LRDIMM 的架构演变为 “1 颗 RCD + 10 颗 DB”。然而，由于 DDR5 内存模组容量大幅增加，DDR5 LRDIMM 的性价比优势逐渐缩小，在服务器内存中的占比也不尽人意。此时，MRDIMM 应运而生。它沿用了与 LRDIMM 类似的 “1+10” 技术架构，即搭配 1 颗 MRCD（多路复用寄存时钟驱动器）芯片和 10 颗 MDB（多路复用数据缓冲器）芯片，能够实现更高的内存带宽，满足现代服务器对内存带宽日益增长的需求。

　　随着CPU 核心数量和速度不断提升，内存必须以更快的速度提供数据。MRDIMM 通过同时操作两个内存通道，实现了比标准 DDR5 DIMM 更高的数据吞吐量。简单来说，它就像是将两个 DDR5 DIMM 结合，向主机提供两倍的数据速率。例如，将两个速度为 4400MT/s 的 DDR5 DIMM 组合，输出结果可达 8800MT/s。目前，第一代 MRDIMM 的速度可达 8800MT/s，第二代达到 12800MT/s。虽然预计未来几代产品速度还会大幅提升，如第三代有望达到 17600MT/s，但可能要到 2030 年以后才能问世，研发之路任重道远。

　　MRDIMM 采用 DDR5 的物理和电气标准，实现了内存技术的重要突破，有效扩展了 CPU 单核心的带宽和容量，极大地缓解了大算力时代 “内存墙” 对系统性能的桎梏，对提升内存密集型计算效率具有重要意义。随着 AI 产业的蓬勃发展，DDR5 内存接口芯片的需求和渗透率大幅提升。随着支持 MRDIMM 的服务器 CPU 上市，第二子代 MRDIMM 有望成为高性能计算、人工智能等应用系统的优选方案。

　　AMD 也不甘示弱，其下一代 “Zen 6” 架构的 EPYC 霄龙系列服务器处理器将迁移到新的 SP7 和 SP8 平台，告别现有的 SP5 和 SP6 平台（分别支持 12 条和 6 条内存通道）。新平台中的 SP7 将提供 16 条和 12 条内存通道两种版本，以满足更高的内存带宽需求，更好地支持更多核心的处理器。此外，“Zen 6” EPYC 处理器将首次支持 MRDIMM 内存条，预计传输速率可达 12800MT/s 或更高。

　　2024 年 11 月，瑞萨电子率先推出面向第二代 DDR5 多容量双列直插式内存模块（MRDIMM）的完整内存接口芯片组解决方案。据瑞萨电子介绍，与第一代 MRDIMM 相比，这些产品的内存带宽提高了 1.35 倍，预计 2025 年实现量产。此次瑞萨设计并推出了三款全新关键组件：RRG50120 第二代多路复用寄存时钟驱动器（MRCD）、RRG51020 第二代多路复用数据缓冲器（MDB）和 RRG53220 第二代电源管理集成电路（PMIC）。此外，瑞萨还批量生产温度传感器（TS）和串行存在检测（SPD）集线器解决方案，为各类服务器和客户端 DIMM，包括行业标准下一代 MRDIMM，提供全面的芯片组解决方案。

　　第二子代MRDIMM 的数据传输速率达到 12800MT/s，相比第一子代提升了 45%，是第三子代 RDIMM（支持速率 6400MT/s）的两倍，这无疑将大幅提升系统性能。在高性能计算、人工智能等对内存带宽需求较大的工作负载场景下，MRDIMM 有望成为应用系统主内存的优选方案。而且，未来会有更多的服务器 CPU 平台支持第二子代 MRDIMM，包括一些 ARM 架构的 CPU 平台，这将进一步完善 MRDIMM 的生态，推动 MRDIMM 行业渗透率的提升以及 MRCD/MDB 芯片需求的增长。